In as / gaas ve gasb / gaas Kuantum noktaları içeren yapıların elektriksel özelliklerinin incelenmesi için kapak resmi
Başlık:
In as / gaas ve gasb / gaas Kuantum noktaları içeren yapıların elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Dil:
Türkçe
Dil Kodu:
tur
Yayın Bilgileri:
[y.y.] : 2011.
Fiziksel Tanımlama:
xi, 86 y. : şkl. ; 30 cm.
502:
Tez(Yüksek Lisans)
Özet:
Bu çalışmada, InAs/GaAs ve GaSb/GaAs Kuantum Noktası içeren örneklerin elektriksel özellikleri incelenmiştir.Her iki örnek de MBE (Moleküler Işın Epitaksi) yöntemiyle büyütülmüştür. Her iki örnektede Kuantum Noktaları n+- p ekleminin arınma bölgesi civarına yerleştirilmiştir.Her bir örnek için 20K ve 300K sıcaklık aralığında, Akım-Voltaj (I-V), Kapasite-Voltaj, DLTS (Derin Seviye Geçiş Spektroskopisi) ve Seviye Seçici DLTS (Charge Selective Derin Seviye Geçiş Spektroskopisi) ölçümleri alınmıştır.InAs/GaAs Kuantum Noktası içeren örnek için, aktivasyon enerjisi Seviye Seçici DLTS metodu ile 198 meV olarak bulunmuştur. GaSb/GaAs Kuantum Noktası içeren örnek için ise aynı metotla aktivasyon enerjisi 461 meV olarak bulunmuştur.Araştırmanın daha ileri bir adımı olarak, InAs/GaAs ve GaSb/GaAs Kuantum Noktası içeren örnekler için, saklama zamanları oda sıcaklığında sırasıyla 0.5 ns ve 1 s olarak bulunmuştur.Çalışmanın bir bölümü Berlin Teknik Üniversitesi, Katıhal Fiziği Enstitüsü'nde gerçekleştirilmiştir.
Ek Yazar:
Elektronik Erişim:
Tam metin açık erişim http://nek.istanbul.edu.tr:4444/ekos/TEZ/48083.pdf

Mevcut:*

Materyal Türü
Demirbaş Numarası
Yer Numarası
Raf Konumu
Mevcut Konumu
Materyal Istek
Tez 48083 48083 Merkez Kütüphane Tez Deposu
Arıyor...

On Order