Talyum antimon disülfid ( TISbS2) ince filmlerin elektriksel özellkleri için kapak resmi
Başlık:
Talyum antimon disülfid ( TISbS2) ince filmlerin elektriksel özellkleri
Dil:
Türkçe
Dil Kodu:
tur
Yayın Bilgileri:
İstanbul : 2010.
Fiziksel Tanımlama:
ix, 57 y. : şkl., tbl. ; 30 cm.
Genel Not:
İngilizce özet var. Kaynakça var.
502:
Tez(Yükseklisans)
Özet:
Teknolojinin hızla geliştiği günümüzde, elektronik sanayinde yarı iletken malzemelerin kullanımı bu alanın gelişmesinde son derece önemli rol oynamıştır. Bu nedenle çalışmamızda TlSbS2 yarıiletken malzemesinin dielektriksel özellikleri incelendi. Bu amaca uygun olarak örneklerimiz Al/ 2 TlSbS /Al formunda hazırlandı. Hazırlanan örneklerin 25 Hz - 1 kHz frekans, 250 0 ? - 6000 0 ? kalınlık ve 293 0K - 373 0K sıcaklık aralığı bölgesinde kapasite, kayıp ve değişken alan iletkenliği davranışı belirlendi. Elde edilen sonuçlara göre, alçak frekanslarda yapıda uzun rölaksasyon zamanlı bir polarizasyon mekanizmasının hakim olduğu; frekans artışıyla birlikte yapıda farklı polarizasyon mekanizmalarının da etkin olabileceği görüldü.
Elektronik Erişim:
Tam metin açık erişim http://nek.istanbul.edu.tr:4444/ekos/TEZ/47227.pdf

Mevcut:*

Materyal Türü
Demirbaş Numarası
Yer Numarası
Raf Konumu
Mevcut Konumu
Materyal Istek
Tez 47227 47227 Merkez Kütüphane Tez Deposu
Arıyor...

On Order